UVC LED的主要技術問題與發展方向

發布時間:2021-11-02 14:02 來源:螢光創新
受新冠推動,淘寶、京東上已經有很多紫外線消毒的各類型產品。如下圖所示,業界通常將紫外線分為A、B、C三類,即近紫外線(UVA),遠紫外線(UVB)和超短紫外線/深紫外線(UVC),其中UVC能受新冠推動,淘寶、京東上已經有很多紫外線消毒的各類型產品。
 
如下圖所示,業界通常將紫外線分為A、B、C三類,即近紫外線(UVA),遠紫外線(UVB)和超短紫外線/深紫外線(UVC),其中UVC能量最大,對微生物的破壞力極強。
相較于UVB和UVA,UVC是健康光源首選;相比化學殺菌消毒,UVC的優勢是殺菌效率高,而且不產生其它化學污染物。
 
中國擁有完整的UVC半導體產業鏈,UVC半導體對芯片、封裝技術和材料性能提出更高要求,芯片技術是目前深紫外半導體技術的主要瓶頸與核心競爭力,行業領先的大廠和紫外LED細分領域的龍頭企業投資不斷加碼。

 
UVA與UVB相比,UVC是殺菌消毒應用首選
 
目前獲取殺菌消毒紫外光源UVC的方式主要有兩種:傳統汞燈和紫外LED,與傳統汞燈相比,UVC半導體具有明顯的優勢:小型化、無毒害、使用便捷。

另外,UVC半導體工藝改進方向明晰,技術難題不斷突破。

在此背景下傳統紫外汞燈消毒、殺菌產品將被UV LED加快取代。
圖:UVC殺菌原理
 
和UVA與UVB相比,UVC的穿透力不強,不會對人體造成危害,但是殺菌效果幾乎一樣,所以UVC成為了殺菌消毒應用首選。
UVC LED與紫外汞燈對比

UVC半導體工藝技術的突破
 
深紫外半導體的工藝與普通LED的工藝大體相同,但由于UV-LED的發光材料不同,因此選取的發光材料和封裝形式會有一定區別。

 UVC半導體芯片可分為襯底和外延層兩部分:襯底通常沿用藍光LED芯片所采用的藍寶石襯底,外延層包括AIN模板層、N型AIGaN層、多量子阱發光層、電子阻擋層和P型GaN接觸層。

 芯片工藝,通過光刻、刻蝕漏出N型接觸層,通過蒸鍍以及合金,N型、P型與電極形成歐姆接觸,然后通過減薄、裂片,對小芯粒進行分選,倒裝到絕緣的硅片上。

 經過10多年研究和發展,280nm以下的深紫外半導體外量子效率已超過5%,對應發光功率大于5mW,壽命達5000h。

功率的提升推動應用領域的發展,但相較于技術十分成熟的藍光LED,UVC半導體存在三個主要問題:
l 芯片外延生長困難、
l 封裝材料易老化、
l 光提取效率較低等

結合UVC半導體的使用特點與工藝流程,目前UVC半導體有四個努力方向:
l 改進UVC半導體外延工藝、
l 提升殺菌效率、
l 改善散熱、
l 降低成本

青島螢光創新科技有限公司,擁有專業的博士后團隊,專注于紫外殺菌應用的研究,經過多年深耕紫外行業,公司獲得多項國家發明和實用新型專利。目前多款殺菌模組類產品已經投入市場。更多詳細內容可以瀏覽公司網站www.xiqiangdiesong.com聯系公司索取或者關注微信公眾號。
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